APEC: SiC पावर र उन्नत क्लाउड पावर उपकरणहरू

खोज क्षमताहरू सुधार गरिएको छ, र त्यहाँ एक क्यारोसेल-शैली मेनु छ जसले तपाईंलाई उपयुक्त उपकरणहरू र बोर्डहरू चयन गर्न अनुमति दिन्छ, फर्म भन्छ: "इन्जिनियरहरूले व्यवहार्य कम्पोनेन्टहरू र प्रणाली समाधानहरूका लागि विकल्पहरू कम गर्न सक्छन् र सुरु गर्नु अघि प्रणाली प्रदर्शनमा विश्वास गर्न सक्छन्। हार्डवेयर खोजी र तिनीहरूको डिजाइन पूरा गर्दै "

APEC मा प्रदर्शनहरूमा Mosfet Onh ​​NVHL080N120SC1 SiC (1200 V, >30A, ~ 80 mOhm, र 42) को वरिपरि निर्मित 11 kV (100 kHz) थ्री-फेज सिलिकन कार्बाइड (SiC) PFC (पावर फ्याक्टर सुधार) प्रदर्शनकर्ता समावेश छ। NCP51705 गेट ड्राइभर - जसले SiC Mosfet बन्द गर्ने नकारात्मक पूर्वाग्रह सिर्जना गर्न चार्ज पम्प समावेश गर्दछ।

भुइँमा eFuse

साथै डिस्प्लेमा eFuse, औद्योगिक स्वचालनका लागि "बुद्धिमान निष्क्रिय सेन्सरहरू", एक उच्च घनत्व USB-PD (पावर डेलिभरी) समाधान, सक्रिय क्ल्याम्प प्रतिक्रिया लुप, र मोटर चालक पावर मोड्युलहरू हुनेछन्।

स्ट्रटालाई प्रवर्द्धन गर्न, "एक उपकरण बक्समा तपाईलाई आवश्यक पर्ने सबै उपकरणहरूसँग दबाबमा डिजाइनरको चाहना सूची सन्तुष्ट गर्दै" (मार्च 19, 1:30 p.m., कोठा 303AB) भन्ने महत्वाकांक्षी शीर्षकको साथ एउटा पेपर प्रस्तुत गरिनेछ।

अर्को प्रस्तुति: "विशेषता, विश्वसनीयता र आधुनिक मा आउटपुट